Полупроводниковые диоды относятся к двухве терминалу электронных устройств, использующих полупроводниковые характеристики. Наиболее распространенными полупроводниковыми диодами являются диоды соединения PN и металлические полупроводниковые контактные диоды.
Их общей чертой является асимметрия вольт-амперных характеристик, то есть ток обладает хорошей проводимостью в одном направлении и высокими характеристиками сопротивления в противоположном направлении. Он может быть использован в качестве исправления, обнаружения, стабилизации напряжения, постоянного тока, переменной емкости, переключения, излучающих света и фотоэлектрических преобразования и т.д.
Эффект туннелирования носителей на высокодоходном узле PN может быть использован для проведения туннельных диодов для сверхвысокочастотного усиления или сверхвысокого скоростного переключения.
